财联社8月28日讯（编辑 牛占林）SK海力士CEO郭鲁正周四表示，公司位于美国印第安纳州的新工厂建成后，到2030年将使该州成为“美国关键的HBM生产基地”，预计当前的存储芯片供应短缺将持续至2030年底。
对于需要在芯片之间搬运大量数据的 AI 加速器来说，在降低功耗的同时提高内存带宽具有很大的价值。
内存墙指的是负责计算的半导体器件速度不断提升，但存储数据的内存却无法跟上其速度而导致的瓶颈。
财联社8月24日讯（编辑 马兰）人工智能数据中心使用的高带宽内存（HBM）技术正在出现重大转向。
SK 海力士展示的数据显示，与 MR-MUF 工艺相比，混合键合可使核心芯片厚度增加 24%，TSV 间距小于 18 微米。
英伟达公司的一些最大客户已被告知，由于内存芯片成本飙升，其AI芯片的服务器价格将上涨超过15%。
财联社8月21日讯 （实习编辑 叶可/ 编辑 齐灵）美国存储芯片巨头美光科技（Micron Technology）周四宣布，计划未来十年向新成立的美光研究实验室投资100亿美元，以抢占人工智能存储市场的长期增长机遇。
IT之家 8 月 20 日消息，摩根士丹利在最新研究报告中指出，受存储厂商把晶圆产能转向 HBM、DDR5 和高层数 NAND 影响，预测成熟型 DRAM 内存和 NAND 闪存芯片的供应紧张状态可能进一步恶化。
据悉，HBF 有望结合 HBM 级别的读取带宽，并实现 HBM 8-16 倍的容量，帮助 AI 领域解决“内存墙”问题。
CoWoS是台积电用于AI芯片的2.5D封装技术，2016年首次推出的是1.6倍光罩尺寸，这个倍数是相对于EUV芯片而言的，现有NA 0.33技术的EUV光刻机单个芯片最大面积在858mm2，再大就做不出来了，因此需要CoWoS这样的技术将多个芯片整合到一起。
报告里提到，虽然长鑫目前距离 DRAM 三巨头（三星、SK 海力士、美光）还有一段非常大的距离。
当地时间8月9日，SK海力士与其工会完成第五轮谈判，但仍未能就奖金方案达成一致。
英伟达即将大幅削减下一代旗舰GPU显存配置，SK海力士股价应声大跌
同时，该机构表示，鉴于LPDDR5X内存芯片的供给短缺预计延续至2027年，英伟达已决定将Vera Rubin超级芯片模组的SOCAMM内存模组容量减半。
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