3月4日，据上海松江官方消息，位于上海松江综保区的尼西半导体科技（上海）有限公司宣布，已建成投产全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。该技术将晶圆厚度缩减至35微米，大幅降低了功率芯片的导通电阻与热阻，主要面向新能源汽车和5G基站等高功率密度应用场景，为国产功率器件打入高压平台及快充市场提供产能基础。

在加工工艺方面，尼西半导体将晶圆加工精度控制在35±1.5微米，并通过化学腐蚀技术消除92%的研磨应力损伤，使极薄晶圆的碎片率降至0.1%以内。切割环节采用定制化激光技术替代传统刀片，热影响区显著缩小，切割良率达到98.5%。设备参数显示，产线研磨机加工精度达0.1微米，片内厚度偏差小于2微米；激光切割机切缝宽度仅11微米，相较传统工艺可提升约**10%**的芯片有效面积利用率。

芯片厚度的降低直接带来了电气性能的改变。数据显示，该工艺使载流子通行时间缩短40%，热阻较传统的100微米标准产品下降60%。在封装环节引入双面散热设计后，模块热阻可再降30%，功率循环寿命提升5倍。应用端测算表明，同等晶圆面积下芯片产出量增加20%，可使手机快充模块体积缩减一半，并为电动汽车电控单元减重3公斤。

目前，该产线测试环节单日产能可达12万颗成品，键合机单日产能约400片。产线中的键合、研磨、切割及解键合等核心装备，均由尼西半导体与国内设备厂商联合研发，在协同创新中实现了关键设备的自主可控，填补了国内相关制造领域的应用空白。