日本政府向韩国存储芯片巨头抛出极具吸引力的投资条件，但三星电子和SK海力士多年来始终未能做出实质性投资决定。

2月24日，据Trend Force报道，尽管在日本建厂的成本可能仅为韩国本土的一半，且能获得全方位政策支持，三星电子和SK海力士仍因国内舆论压力和利益相关方的制约而保持观望。

SK海力士近日正式否认了日经新闻关于其计划在日本投资2万亿日元建设存储芯片厂的报道。据Chosun Biz报道，三星和SK海力士过去数年间多次收到日本政府建厂邀约，但相关提案始终处于搁置状态。

报道称，这一谨慎态度与台积电、美光等芯片制造商在日本的快速扩张形成鲜明对比。日本政府已向台积电熊本工厂提供高达4760亿日元补贴，并为美光广岛HBM芯片厂提供最高5000亿日元支持，凸显其重振半导体产业的决心。

分析认为，韩国企业的犹豫可能影响其在全球半导体供应链重组中的竞争地位，特别是在高带宽存储器等关键领域，竞争对手正通过日本基地加速产能布局。

成本优势难掩政治顾虑

据Chosun Biz援引三星电子半导体部门高管的说法，在日本建设和运营存储芯片厂的前期投资和总拥有成本可能仅为韩国本土的约一半。

日本政府提供的是"全套支持方案"，包括税收减免、基础设施援助、劳动力支持以及与本地设备供应商的对接。相比之下，韩国国内工厂几乎没有实质性激励措施，往往还会产生额外成本。

然而Chosun Biz指出，三星和SK海力士推迟在日本建厂的主要原因在于国内舆论和来自政府及地方利益相关方的压力。

尽管从成本和长期增长角度看，日本工厂可能是最安全的选择，但这些外部制约因素的影响似乎超过了财务优势。

据SeDaily和Chosun Biz报道，两家公司的高管在过去几年中对日本半导体工厂建设进行了初步的成本估算层面审查，但讨论从未推进到实际投资决策或生产线规划阶段。

国际竞争者加速布局日本

报道称，与韩国存储芯片巨头的谨慎态度形成对比，台积电和美光正在日本快速扩张。

据Chosun Biz报道，日本经济产业省向台积电日本子公司JASM的熊本工厂提供了高达4760亿日元补贴，随后又为第二期投资追加支持。

据读卖新闻报道，台积电已敲定在熊本量产日本首批3纳米芯片的计划，总投资预计达170亿美元（约2.6万亿日元）。

存储芯片企业美光也在强化其在日本的布局。据日经新闻和路透社2025年底报道，美光将投资1.5万亿日元（96亿美元）在广岛建设新的HBM芯片工厂。

建设将于5月在现有厂址开始，预计2028年左右开始出货。日本经济产业省为该项目提供最高5000亿日元的支持。

Chosun Biz指出，日本政府对西部数据和铠侠合资运营的生产基地也持续提供支持。

2024年，西部数据宣布其在铠侠四日市（三重县）和北上（岩手县）工厂的第8代和第9代3D闪存资本投资获得日本经济产业省认证，符合投资补贴资格。

根据官方新闻稿，两家工厂获得的总支持包括最高1500亿日元，另有929亿日元根据2022年7月批准的特定半导体生产设施发展计划提供。