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三星电子业内率先出样HBM4E内存
05/29
三星电子12层HBM4E样品开始出货：系业界首款，性能提升20%
05/29
美光HBM4增产进展顺利，HBM4E计划明年开始大规模生产
05/26
拒绝挤牙膏！美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定
05/25
美光HBM4量产加速 HBM4E明年投产
05/25
SK海力士HBM4出货量将骤减30% 英伟达新AI芯片量产节奏受阻
04/18
三星加速研发下一代高带宽内存 首批HBM4E将于5月生产
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三星投450亿买20台EUV光刻机 提高HBM4产能：不管手机等消费存储死活
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HBM4E竞赛升级：SK海力士被曝拟引入台积电3nm工艺反超三星
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美光确认HBM4E基于1γDRAM，未来1δ工艺采最新EUV光刻机
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美光电话会：AI将存储重塑为“战略资产”！应对缺货必须烧钱建厂并首签5年长单，HBM4直供英伟达
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三星将为AMD下一代AI加速器供应HBM4内存，并探讨晶圆代工
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美光官宣：HBM4 等全系存储产品量产，深度适配英伟达 Vera Rubin 平台
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GTC2026｜美光科技开始为英伟达量产HBM4内存，速率比上一代HBM3E提升约2.3倍
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美光透露旗下HBM4、SOCAMM2内存及9650 SSD存储已同步量产
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三星GTC 2026全面展示AI内存布局，HBM4E首发亮相
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