完全绕开ASML深紫外光刻路线！国产真空气压式晶圆级纳米压印光刻机成本降至DUV 1/10
俄罗斯光刻机破冰！已搞定自研350nm光刻机
英特尔18A制程实测：M0间距36nm、GAA间距76nm，与宣传存在差距
消息称英特尔14A制程已获两家客户好评，预计2027年量产节点进展顺利
芯片制造的“投影微雕术”：光刻段工艺
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