文|砺石商业评论 王剑

2026年7月7日，三星电子发布了二季度业绩预告，营业利润约89.4万亿韩元，折合584亿美元，同比增长1810%。

这个数字，甚至超过了英伟达上一季度535.36亿美元的营业利润。

而据韩国媒体报道，三星半导体高管在内部会议上称，按当前盈利预期，2026年全年利润有望超过此前四十年的累计总和。

这轮盈利暴涨源于AI服务器囤货及DRAM、NAND涨价，作为半导体巨头的三星盈利大涨并不意外。

真正令人好奇的是，从家电、手机、面板到存储芯片，产业每换一次桌，三星为何总能留在利润最厚的一侧？

答案或许不在财报里，而在四十年前的那场豪赌中。

李秉喆押下第一笔重注

三星将半导体确立为集团核心产业，最早要追溯到1983年。

那年2月，三星创始人李秉喆在东京宣布，三星将大规模进军半导体。后来，这次决定被业内称为东京宣言。

这一步，在当时看来，更像是一场胜算渺茫的冒险。

彼时，三星半导体技术积累浅薄，尚不具备任何竞争优势。

不仅研发用的图纸是从美国美光购入的，技术顾问聘请也只是日本东芝一批已退休的工程师。整支队伍像是一群老兵带着一群新人，在一张并不完整的拼图前摸索前行。

这一时期的三星经过多年发展，已是韩国体量最庞大的综合财团。电视机、冰箱等电子产品驰名全国及海外，同时还涉足到食品、纺织、保险等各种生意。

可这些优势，对三星的半导体业务并没有实质帮助。

一方面，研发半导体的晶圆厂投入巨大，制程迭代极快，往往产能刚建好，技术便已落后。

另一方面，日本NEC、东芝、日立已掌控全球存储芯片市场，在技术、产能与客户渠道上构筑了难以逾越的壁垒。

对三星而言，进军半导体并非在开放赛道争夺份额，而是要在既有的高墙之下强行凿路。别无选择，唯有从零补课。

可问题是，美光的64K DRAM设计授权与日本工程师的外援，解决了能否做出来的问题，却无法弥补工艺经验的空白。

由于没有现成的经验做参考，三星的生产线仅能维持运转，远谈不上品质稳定。而温度、材料或设备参数的些微偏离，都会造成良率大幅滑坡。

更致命的是节奏的彻底脱节，这边刚勉强追上64K DRAM，市场需求已转向256K；而生产线好不容易调通，全球存储芯片价格却应声大跌。

在现金牛业务仍处高位时重注新赛道，也成为了三星脱离追随者行列的分水岭。

至此，三星既在终端市场与苹果正面交锋，又通过面板供应从每一部高端iPhone的销量中分取收益。

这次押注，与早年攻克DRAM的路径截然不同。

彼时三星尚属追随者，于美日身后补课，靠逆周期投入死扛至胜。而OLED的选择，是在LCD仍处盈利峰值时，主动向下一代产品形态布局，在新领域确立先发优势。

消费电子产业从不缺技术构想，缺的是在现金牛业务尚能造血时，敢于截断旧路、重注新赛道的决断。

而三星在这方面的做法非常果断，一旦顶层定调，资金、工程师和终端部门便全线压上。

尽管这种高度集权的模式在韩国社会争议不断，内部治理不透明与权力过度集中亦曾令三星付出代价，但在OLED这类投入巨大、回报漫长的赛道，集权却剔除了冗长的内部博弈。

因此，当对手还在测算盈利时间表时，三星已率先行动。

不过，选对方向仅是取得入场资格。对三星来说，真正的考验，在于能否将实验室技术转化为亿级规模、规格高度统一的工业量产能力。

从生产线上走出来的创新能力

三星的NAND闪存随即遭遇了同样的难题，且复杂程度远超OLED。

过去数十年，存储芯片行业依赖制程微缩提升容量，即在固定晶圆面积内堆叠更多存储单元，以此摊薄单位成本。

但当工艺逼近十几纳米节点，单元间距急剧收窄，串扰、漏电流与可靠性问题集中爆发。这意味着沿用传统路径，边际效益已严重倒挂，投入与产出彻底失衡。

三星的解法是将存储单元垂直堆叠，即日后业界熟知的V-NAND。此举打破了线宽对存储密度的物理锁死，在容量、功耗与可靠性三个维度同步打开了优化空间。

可问题是，要在几十层堆叠的材料中，蚀刻出深而笔直的通道孔，且保证每一层的尺寸和电气性能分毫不差，难度极高。

而在生产工艺上，堆叠层数越高，留给生产线的误差空间就越小。产线上的任何一次波动，都可能意味着整片晶圆的报废。

这道壁垒极高，却也由此构筑了三星在存储领域的核心防线。竞争对手即便看清了路线，也因难以跨越良率与设备的双重鸿沟，只能望而却步。

支撑这道防线的，是三星在三维堆叠路线上长达数年的技术沉淀。2013年，三星率先量产24层V-NAND，确立了工艺落地的先发优势。

以当下的产业标准衡量，24层仅是起步门槛，但在当时，这标志着三星成功穿越了三维堆叠的技术雷区，验证了这条路线的可行性。

自此开始，NAND行业的竞争焦点不再是单一地死磕平面线宽，逐渐转向了谁能把更多存储单元稳定地叠起来，并且把良率控制在能赚钱的范围内。

2026年2月，三星宣布HBM4量产，面向英伟达Vera Rubin平台供货。官方规格每引脚11.7Gbps，最高可按客户需求提至13Gbps。

但仅凭一轮出货，不足以认定三星已反超SK海力士。客户份额、良率爬坡与长期供货可靠性，仍需时间检验。

甚至，即便二季度三星实现89.4万亿韩元营业利润，也不能全部算在HBM头上。

当下，AI数据中心拉动高端存储需求，挤占了大量先进产能，进而推高普通DRAM和NAND价格。而三星手握全球最大存储产能，价格每上涨一截便直接兑现为利润，可这种增长本质上仍是一轮周期驱动的繁荣。

何况HBM4之后还有HBM4E、定制HBM与更复杂的先进封装，AI服务器也在重新划分内存、存储和计算之间的边界。

可以说，三星刚追回一段距离，下一道难题已摆在面前。

这也解释了为何业绩预告公布当天，三星股价不升反跌。投资者既担心AI资本开支能否持续，也担心存储厂商重新扩产后，当下的短缺会再次演变成过剩。

回头再看外界对三星一年顶四十年的赞誉，也并不意味着其四十年的技术积淀就足以抵消曾经的战略迟滞。

OLED与V-NAND的成功，验证了提前换路的回报；HBM的落后，则暴露了过往成功的反噬。正是这种深植于庞大组织的胜利惯性，让三星在AI算力爆发的前夜，也付出了高额代价。

三星当然有创新力，但这和某个人的英明决策无关，更不是赌徒式的敢赌那么简单。

真正维系三星能持续创新的，是其在既定战略下的持续工程化落地能力。

只要方向一旦确认，研发、制造与终端便同步跟进；即便判断滞后，集团仍可凭资本厚度与技术储备，在错失窗口后重新追赶，补齐差距。

未来三星能不能继续坐在利润最厚的那一侧，不取决于某次赚了多少钱，而取决于下一张牌桌摆出来时，它还能不能第一时间换座。