杭州镓仁半导体有限公司近日宣布，其自主研发的铸造法单晶生长技术与MOCVD外延工艺取得重大突破，成功建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线，并已向多家头部芯片企业实现批量供货。这一成果标志着我国在超宽禁带半导体材料领域实现了从实验室到产业化的关键跨越。

在晶体生长环节，该公司创新研发的铸造法技术突破了传统工艺的局限，能够稳定制备出厚度达国际领先水平的氧化镓单晶。通过配套开发的超薄衬底加工技术，单片衬底出片量较传统工艺提升3至4倍。更值得关注的是，该技术通过优化贵金属铱的使用方案，使单片衬底成本降低超过80%，为下游功率器件制造商提供了更具竞争力的材料解决方案。

外延工艺方面，技术团队针对氧化镓（100）晶面的特性，系统优化了MOCVD设备参数与生长程序，成为全球唯一具备6英寸氧化镓同质外延商业化供应能力的企业。其生产的6英寸外延片厚度超过10微米，厚度均匀性控制在1%以内，各项指标均达到国际先进水平，有效解决了长期困扰行业的尺寸局限与均匀性难题。

据公开资料显示，氧化镓材料因具备超宽禁带特性，在高压功率器件领域具有显著优势，但此前全球范围内存在晶圆尺寸小、产能不足、批次稳定性差等瓶颈。镓仁半导体此次不仅实现6英寸外延片的全球首供，更构建起从单晶生长到外延制备的完整量产体系，其8英寸产品的国际首发更确立了我国在该领域的技术领先地位。目前，海外多家知名企业及科研机构已与该公司建立长期合作关系，产品进入稳定供货阶段。

作为超宽禁带半导体领域的创新企业，镓仁半导体已形成覆盖设备、晶体、衬底、外延的全链条产品矩阵。其核心产品包括2-8英寸氧化镓单晶及衬底、垂直布里奇曼法长晶设备、同质外延片等，其中8英寸单晶与外延片均为全球首次商业化发布。通过持续的技术迭代与产能扩张，该公司正加速推动氧化镓材料在新能源汽车、智能电网等领域的规模化应用。