近日，三星电子在台北电脑展2026期间公布下一代存储方案，首次展示第八代高带宽内存HBM5样品，并表示将推进一项名为HPB的散热技术在后续产品中的应用，以应对AI系统持续提升带来的发热问题。

三星电子DS部门首席技术官宋在赫于在展会现场介绍称，随着AI产业快速变化，覆盖存储、代工、逻辑和封装的整体方案能力正变得更加重要。与此同时，AI系统正向超高性能和超高集成方向演进，竞争焦点已不再局限于单纯的存储性能，数据处理效率和热管理能力也成为关键因素。

此次亮相的HBM5样品属于开发完成前的外观模型。三星称，面向HBM5的一项核心技术是HPB，即通过新增独立热传导路径，降低热阻，并让物理层区域产生的热量更高效地扩散和释放，从而提升运行稳定性。按照三星的说法，该技术有望在高带宽、高集成的AI应用环境中改善系统整体效率。

三星还透露，HPB技术已在HBM4E产品上完成实现与验证，后续将正式导入HBM5，以进一步提升产品性能和稳定性。此前，三星已表示计划在HBM5中率先采用2纳米基础芯片。

除HBM5外，三星在本次展会上还展示了HBM4E晶圆和芯片组。该产品采用1c DRAM核心芯片与自家4纳米工艺基础芯片组合的结构。根据三星此前公布的信息，HBM4E已于5月29日完成行业首个样品出货，能够以每引脚14Gbps稳定运行，最高可达16Gbps，对应最大带宽4TB/s。三星表示，未来将继续与包括英伟达在内的全球企业展开合作，强化下一代存储技术竞争力。