3月2日，据中国科学院金属研究所消息，近期，针对上述关键科学问题，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心的邰凯平研究员带领团队提出了一种基于双缺陷工程的调控策略，采用多靶磁控共溅射技术成功制备高性能n型Mg3 (Sb, Bi)2基热电薄膜。相关成果发表在《Acta Materialia》。