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SK海力士大连公司增资至31亿美元增幅约10.71%

12/03

加速追赶SK海力士！三星HBM4被曝通过内部测试，供货英伟达"蓄势待发”

12/02

消息称SK海力士2026年全力扩充非HBM通用DRAM内存产能，充分利用现有资源

消息称SK海力士2026年全力扩充非HBM通用DRAM内存产能，充分利用现有资源

12/01

消息称三星明年2月正式发布HBM4，与SK海力士同台竞技

12/01

全球首款：SK海力士展示12层堆叠HBM4内存

11/28

2025年Q3全球DRAM市场营收大增30.9%，SK海力士仍居榜首

2025年Q3全球DRAM市场营收大增30.9%，SK海力士仍居榜首

11/26

2026 ISSCC明年2月举行，SK海力士14Gbps LPDDR6等将亮相

11/25

AI需求太猛，SK海力士DRAM产能计划到2026年暴增超8倍

此次扩产的核心是SK海力士位于韩国利川的生产基地

11/22

AI需求太猛，SK海力士DRAM产能计划到2026年暴增超8倍

11/22

押注"AI内存超级周期"，SK海力士明年10纳米DRAM产量将增至8倍

11/21

消息称三星电子DRAM三季度销售额接近140亿美元超过SK海力士重回第1

11/19

三星和SK海力士计划2026H1完成HBM4E的开发，2027年有望占据40%市场份额

11/13

消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发，定制化成竞争关键

消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发，定制化成竞争关键

11/13

消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发

11/13

AI数据中心存储向QLC转型三星电子、SK海力士等巨头减产并计划涨价

11/12

闪迪、三星和SK海力士押注HBF，DRAM领域的下一个战场？

11/11

SK海力士正研发高带宽存储，借助新工艺为手机AI性能加buff

11/10

SK海力士正研发高带宽存储：16层DRAM和NAND芯片层层堆叠，为手机AI性能加buff

SK海力士正研发高带宽存储：16层DRAM和NAND芯片层层堆叠，为手机AI性能加buff

11/10

消息称SK海力士与英伟达达成HBM4供应协议，价格较上代上涨50%

11/06

Business Korea：SK海力士在与英伟达谈判后，将HBM4价格上调逾50%

11/05

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