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内存之后闪存也大涨，三星电子一季度NAND价格上调100%

NAND价格快速攀升的根本原因在于供需失衡

01/25

强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

01/24

强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

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强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

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强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

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强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

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强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

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强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

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强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

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强一股份(688809.SH)：已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制

01/23

闪迪暴涨背后：三大催化共振，NAND成“必需品”，AI 重估存储价值

01/23

DRAM、NAND和基板严重短缺，英特尔称短期内无法完全满足市场需求

01/23

DRAM、NAND和基板严重短缺，英特尔称短期内无法完全满足市场需求

DRAM、NAND和基板严重短缺，英特尔称短期内无法完全满足市场需求

01/23

三星、SK海力士减产，NAND价格还要涨！

01/21

为了利润最大化！三星、SK海力士联手减产NAND闪存

01/20

韩媒称“三星、SK海力士预计今年继续减产NAND闪存”，以追求利润最大化

01/20

消息称三星电子、SK海力士今年将缩减NAND闪存晶圆投片量

01/20

SK海力士推出5 - Bit NAND闪存，读取速度比传统PLC快20倍

01/18

SK海力士推出5 - Bit NAND闪存，读取速度比传统PLC快20倍

01/18

SK海力士推出5 - Bit NAND闪存，读取速度比传统PLC快20倍

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