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闪迪新专利曝光：处理器直接键合NAND闪存芯片，HBM退居辅助角色

06/22

闪迪推动HBF技术开发：新专利将计算芯片与NAND闪存堆叠，并与HBM共封装

06/22

闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

06/22

闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

06/22

闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

06/22

闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

06/22

NAND闪存超级周期，登顶日本第一市值，铠侠依旧谨慎，未来三年资本开支仍比历史峰值低10%

06/19

智能体AI引爆NAND结构性需求！花旗调高应用材料(AMAT.US)、泛林集团(LRCX.US)和科磊(KLAC.US)目标价

06/17

HBM之后的“存储超级风口”——NAND! AMD(AMD.US)果断出手吞下MEXT 闪存正在主导“AI推理经济学”

06/16

400层工艺受阻！SK海力士被迫年底量产375层NAND

06/11

400层工艺受阻！SK海力士被迫年底量产375层NAND

06/11

SK海力士V10 NAND采用375层堆叠设计 2026年内量产

06/11

消息称SK海力士V10 NAND采用375层堆叠设计，2026年内量产

06/11

SK海力士年底量产375层NAND全面推进以钼代钨

06/11

中国存储比巨头便宜不存在的！Q1全球DRAM、NAND销售额：长鑫、长存杀入前五

中国存储比巨头便宜不存在的！Q1全球DRAM、NAND销售额：长鑫、长存杀入前五

06/11

英伟达、SK海力士剑指AI内存！全球NAND市场营收创历史新高，业内：景气行情至少维持至2027年

06/08

全球NAND存储市场营收已达460亿美元存储芯片持续走强

06/04

消息称SK海力士将在大连二厂建设“200层中段”FG NAND产线

06/04

铠侠计划2026年夏天出样下代BiCS10 1Tb TLC NAND闪存

06/03

CounterPoint报告2026Q1全球NAND闪存同比增至3.5倍

06/03

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