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HBM堆到20层热炸了!SK海力士、三星、美光打响芯片内部散热战
三星电子将在年内建成温阳新工厂 加速HBM封装双轨化
英特尔18A制程实测:M0间距36nm、GAA间距76nm,与宣传存在差距
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