据外媒消息，三星电子正在推进封装双轨化战略，计划年内完成温阳新工厂建设，明年起正式引入设备。该工厂将用于高带宽存储器（HBM）的先进封装生产，以分散天安工厂的产能压力，同时将温阳现有的通用DRAM封装产线迁至越南。

据半导体行业消息，三星电子在温阳厂区内新建的工厂即将完工，该厂将部署基于硅通孔（TSV）技术的先进封装生产线。HBM作为高附加值产品，需经过DRAM前工序后，再通过TSV打孔、垂直堆叠和热压接合等封装流程。目前，三星电子在平泽工厂完成DRAM前工序，天安工厂负责封装。

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随着全球HBM需求激增，三星电子正加速平泽4工厂（P4）建设，并计划于下半年启动平泽5工厂（P5）一期工程。P4和P5的部分产线将用于生产第六代HBM4所需的1c纳米DRAM。为匹配平泽前工序扩产，三星电子需扩大TSV封装产能。业内人士指出，天安工厂的C1、C2、C3产线已满负荷运行，无法进一步扩充，而温阳工厂拥有更大空间，因此选择在此扩建。

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三星电子计划将天安的部分先进封装人员调至温阳，同时将温阳的通用DRAM封装人员迁至越南，以逐步实现产品封装双轨化。该计划预计在5年内分阶段推进，目前人员尚未实际转移。越南工厂初期将派遣大量韩国员工进行产线设置，后续逐步增加当地员工比例。

三星电子今年HBM销售额预计同比增长超过三倍。其中，2月量产出货的HBM4将于下半年扩大供应，第三季度起占公司HBM总销售额一半以上。今年HBM4订单已全部售罄，公司计划将HBM产能较去年扩大约50%，以应对全球需求。