Resonac突破技术壁垒：成功研制12英寸碳化硅单晶衬底 引领行业新发展
Resonac攻克12英寸碳化硅单晶衬底技术，推动半导体产业迈向新高度
Resonac成功开发12英寸碳化硅单晶衬底，为当前并列最大
研究团队选择“结型场效应晶体管”（JFET）结构，并将栅极置于沟道下方，形成底栅（bottom-gate）布局。
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