8 月 28 日消息，《日经亚洲》昨日（8 月 27 日）发布博文，报道称台积电 2nm 芯片技术外泄事件涉案 3 人被检方起诉，分别被要求判处 14 年、9 年和 7 年徒刑，目前相关案件正在审理过程中。

消息称涉案的主要嫌疑人陈姓男子曾任台积电工程师，熟悉公司严格的保密制度与供应商保密协议。离职后，他加入日本半导体设备龙头 TEL 公司，并利用旧同事关系，多次索取 2 纳米蚀刻站相关机密文件和数据，将其拍摄、复制，用于帮助 TEL 公司改进设备性能。

援引博文介绍，检方透露，被陈联络的台积电员工中，包括吴某、戈某、廖某等人，他们在工作中有权限接触这些“核心关键技术”。检方指控，涉案文件共 12 页，涉及高度敏感的集成电路制造工艺。

检方目前要求判处主要嫌疑人陈某 14 年徒刑，判处吴某 9 年徒刑，判处葛某 7 年徒刑，但并未起诉另一涉案人廖某。台积电已将案件移送检方，并重申零容忍立场，将依法追究到底。（故渊）