快科技8月17日消息，据国内媒体报道，近日，全国首台国产商业电子束光刻机在杭州“出炉”，其精度比肩国际主流设备，标志着量子芯片研发从此有了“中国刻刀”。

在杭州城西科创大走廊的浙江大学成果转化基地测试现场，一台模样酷似大型钢柜的机器正在做应用测试，电子显示屏上不断闪烁着实时参数。

团队负责人表示，这不是普通的机器，而是一支能在头发丝上雕刻出整座城市地图的“纳米神笔”。依托省重点实验室，这台研究院自主研发的新一代100kV电子束光刻机“羲之”已正式投入市场。

据了解，“羲之”取名自书法家王羲之，只不过它的‘毛笔’是电子束，在芯片上刻写电路。

研发团队相关负责人介绍，这台设备专攻量子芯片、新型半导体研发的核心环节，它通过高能电子束在硅基上“手写”电路，精度达到0.6nm，线宽8nm，可灵活修改设计无须掩膜版，如同用纳米级毛笔在芯片上精准作画，特别适合芯片研发初期的反复调试。

此前，此类设备受国际出口管制，中国科学技术大学、之江实验室等国内顶尖科研机构长期无法采购，“羲之”的落地有望打破这一困局。

其定价低于国际均价，目前已与多家企业及科研机构展开接洽。

那电子束光刻机和我们经常听到的EUV光刻机有何区别呢？

电子束光刻机（Electron Beam Lithography，EBL）是半导体制造中一种关键的图形化技术。电子束光刻采用电子源，利用电子束轰击电子抗蚀剂，被电子辐照过的抗蚀剂发生分子链重组，从而留下相应痕迹。通过电磁场控制电子束的运动方向，改变电子束在抗蚀剂上写入的轨迹，进而在基底上得到需要的图案信息。

不过，电子束光刻机采用逐点扫描的方式，扫描速度慢，每几个小时才能 “雕刻”1片晶圆，效率远低于EUV 光刻机。但精度更高，如 “羲之” 电子束光刻机精度达0.6nm。

相比之下，EUV光刻机利用极紫外光（13.5nm）作为能量源，通过掩模版投影的方式，全片一次性曝光来实现图案转移，效率更高。精度相对较低，ASML生产的High NA EUV光刻机精度可达2nm水平。

所以，电子束光刻机适合小批量高精度需求，如高端芯片的小批量生产、改进迭代，以及掩模版制作等。

而EUV光刻机主要用于大规模集成电路制造，如 CPU、DRAM 等商业化半导体生产。