中新经纬10月28日电 据路透社28日报道，两位知情人士透露，长鑫科技计划启动HBM3E小批量生产。HBM3E是一种与AI处理器搭配使用的先进高带宽内存芯片。

　　据知情人士透露，长鑫科技已向中国国内多家AI芯片设计企业发送HBM3E样品。知情人士称，长鑫科技预计将在未来两个月内启动小批量生产。因相关生产计划尚未对外公开，上述知情人士要求匿名。

　　高带宽内存(HBM)通过将内存芯片垂直堆叠制造而成，能够与AI处理器实现高速数据交互，是用于训练和运行大语言模型专用芯片的关键元器件。

　　路透社9月曾报道称，受内存成本制约、扩产受阻影响，华为、寒武纪、沐曦股份、天数智芯已将现有及下一代AI芯片的价格上调20%至50%。

　　前述知情人士透露，长鑫科技的HBM3E预计售价将高于海外竞争对手的同类产品。该人士补充道，该公司早在2024年就已启动这项技术的自主研发工作。

　　市场研究机构Counterpoint的数据显示，今年第二季度，SK海力士占据全球HBM市场营收份额的50%，三星以33%的份额紧随其后，美光科技占比18%。该机构称，这三家公司的大部分营收来自HBM3E产品。

　　Counterpoint同时指出，长鑫科技当季在全球DRAM市场的营收占比为10%，是全球第四大传统内存芯片供应商。

　　长鑫科技最新披露的业绩预告显示，2026年前三季度，预计公司营业收入约为2650.00亿元至2700.00亿元，与上年同期相比，将增加2329.16亿元至2379.16亿元；预计归属于上市公司股东的净利润约1310.00亿元至1325.00亿元，与上年同期相比，将增加1362.80亿元到1377.80亿元。(编译：魏薇)(中新经纬APP)

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责任编辑：闫淑鑫 罗琨