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Arm成立36年来首颗自研芯片:台积电3nm工艺,1000亿个晶体管

IP属地 中国·北京 编辑:孙明 IT之家 时间:2026-08-25 12:30:03

IT之家 8 月 25 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(8 月 24 日)发布博文,报道称在 Hot Chips 2026 大会上,Arm 披露了面向智能体人工智能的 AGI CPU 细节,这是该公司成立 36 年以来首颗自研量产芯片。

该处理器基于第 3 代 Neoverse V3 核心,基于 Armv9.2 架构,单颗芯片最多配置 136 个核心,每个核心配备 2 MB 专属 L2 缓存,最高频率为 3.7 GHz。

该芯片采用台积电 3nm 工艺(N3P)和双芯粒(Dual Chiplets)设计,每个芯粒搭载超过 500 亿个晶体管,完整芯片拥有 1,000 亿个晶体管,整颗芯片的最大 TDP 为 300 W。处理器将内存与 I/O 集成在同一芯片上,面向低延迟内存访问,内存延迟低于 100 ns。

I/O 方面,该处理器提供 96 条 PCIe Gen6 通道,支持 CXL 3.0 内存及扩展设备,并配备 AMBA CHI 扩展链路。它支持 DDR5-8800 内存,每个核心获得 6 GB/s 内存带宽,单颗芯片容量达到 6 TB。

Neoverse V3 核心包含分支预测单元和指令预取器。指令取指部分配备 64 KB 指令缓存,前端解码队列为 10 路,解码单元采用 10 路设计;重命名与分发单元拥有超过 384 条目的乱序执行窗口,支持 10 路分发和 8 路提交。

高级 SIMD 流水线采用双 128 bit 低延迟数据通路。L2 缓存的加载到使用延迟为 10 个周期,传输能力为 128 B / 周期;每个核心配备 2 MB 私有 L2 缓存。

标签: 芯片 内存 处理器 单元 晶体管 核心 指令 台积电 人工智能 内存带宽

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