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存储“三国杀”变局:三星扩大领先,美光追近海力士

IP属地 中国·北京 编辑:赵静 财联社 时间:2026-08-06 13:00:23
①Counterpoint Research最新报告显示,全球DRAM市场格局正在快速重塑:三星电子二季度以39%份额扩大领先,SK海力士份额降至26%,与美光几乎持平;②中国DRAM龙头长鑫科技问鼎全球增速冠军。分析师认为,长鑫冲击全球存储“三强”格局只是时间问题。

文|财联社

研究机构Counterpoint Research周二发布的《全球存储追踪》报告显示,三星电子进一步扩大在存储市场的领先地位,而去年此时领跑的SK海力士已经跌到与美光肩并肩的状态。

分析师还特别提到中国DRAM龙头长鑫科技的高速增长,并乐观展望中国芯片公司撼动当前存储三强争霸格局的前景。

报告显示,三星电子二季度拿下全球DRAM市场39%的份额,重回2024年以来的高位。

与此同时,尽管SK海力士的季度营收同比激增214%,但市场份额却从去年Q2的39%骤降至26%;美光科技的市场份额升至25%,已经悄悄摸到海力士身后。

(全球DRAM市场营收份额,2026年第二季度,Counterpoint Research)

分析指出,今年二季度传统DRAM价格环比显著上涨,但HBM价格同比走低。其中,受现有HBM3E产品降价以及HBM4量产延迟影响,HBM平均售价降幅较为明显。不过,随着传统DRAM价格持续上涨,目前相对较低的HBM价格预计将在2027年迎来大幅上涨。

这也正是三星和SK海力士此消彼长的核心原因。

Counterpoint研究总监MS Hwang评论称:与竞争对手相比,SK海力士的出货量和营收中来自HBM的比例最高,因此公司在HBM价格下跌中遭受较大冲击。其次,SK海力士比竞争对手更早签署长期协议(LTA)。长期协议基于固定合同价格设定价格上限和下限,这意味着在内存价格上涨周期中,较早谈妥的固定价格会低于当前水平。

对海力士而言,潜在的利好在于英伟达、AMD新一代旗舰AI机架开始出货,带动HBM4出货量开始增加。

话虽如此,Counterpoint依然认为美光科技将超越SK海力士,坐上全球DRAM第二大厂商的位置。

研究副总裁尼尔沙阿(Neil Shah)表示:根据我们的估算,美光的DRAM营收自2025年第二季度以来已经增长了5倍,这使得该公司有望超越SK海力士,并可能很快跃居全球第二的位置这最终将取决于谁拥有足够的产能,避免将利润拱手让给竞争对手,以及长期供应协议(LTA)如何形成。

三巨头激烈厮杀之际,长鑫科技以同比增长716%成为全球增长最快的DRAM供应商。

沙阿指出,如果长鑫能够扩大产能、提升技术能力,并从PC市场以及潜在海外一线客户切入,满足国内外客户需求,其市场份额有望快速提升。随着长鑫崛起,存储行业竞争格局或将在一年后发生显著变化。

他认为,市场关注的焦点已经从长鑫能否进入全球存储三强转变为长鑫何时能够跻身这一阵营。

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