快科技6月25日消息，在别家芯片厂还在追逐3nm、2nm的时候，作为CMOS柜机工艺的真神，IBM这一次又拿出了全球首个0.7nm工艺，单芯片密度能达到1000亿晶体管。

IBM上一次震撼业界的工艺还是2021年全球首发2nm工艺，这个工艺也是日本Rapidus公司明年量产2nm芯片的基础，这次的新工艺明面上是Sub-1nm，实际上是做到了0.7nm等效水平。

与之前公布的2nm工艺相比，0.7nm工艺的性能提升50%，能效提升了70%，SRAM面积缩小了40%，一个指甲盖大小的芯片可以集成1000亿晶体管，比2nm的500亿翻倍，比7nm工艺的200亿更是五倍水平。

但是这一次的0.7nm工艺重大突破不只是继续微缩，而是创新了晶体管结构，当前2nm及以下工艺采用的的GAA晶体管结构源于IBM公司2017年发布的Nanosheet纳米片构型，这次IBM又推出了纳米堆栈Nanostack构型。

传统上晶体管的p、n型是并排排列的，Nanostack则是p、n晶体管垂直分隔并交替堆栈，通过超薄的中介层连接两片晶圆，上下层可以使用不同的材料，两型晶体管可以独立优化，大幅提升了密度。

IBM这种Nanostack的技术早在2025年的VLSI国际会议上就提出了，这次是该技术走向了现实。

0.7nm工艺距离真正量产还有段时间，IBM估计的时间是5年内，也就是2031年，不过IBM早在2014年就卖掉了芯片制造业务，能研发技术与真正制造出来有很大距离。

台积电、Intel及三星也在研发自己的0.7nm工艺，不太可能使用IBM的技术，但日本的Rapidus公司是靠IBM技术授权的，他们明年的目标是量产2nm工艺，距离IBM首发2nm过去了7年时间。

按照IMEC之前预测的路线图，业界生产0.7nm工艺的时间表是2034年，所以IBM估计5年量产还是偏乐观了，考虑到1nm之后的难度提升，再加上还需要High NA EUV光刻机，成本也会很高，不会那么快量产的。