格隆汇1月12日丨立昂微(605358.SH)在互动平台表示，立昂东芯pHEMT工艺可将栅长0.15um的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片并实现商业化量产，目前已用于低轨卫星通信领域并已实现大批量出货，实现包括功率放大器（PA），低噪声放大器（LNA）以及射频开关（SW）等功能。此外，立昂东芯的氮化镓射频芯片工艺也将实现卫星领域应用作为目标。