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  • 三星加速研发下一代高带宽内存 首批HBM4E将于5月生产

    04/18
  • HBM4E竞赛升级:SK海力士被曝拟引入台积电3nm工艺反超三星

    03/22
  • 美光确认HBM4E基于1γDRAM,未来1δ工艺采最新EUV光刻机

    03/20
  • 三星GTC 2026全面展示AI内存布局,HBM4E首发亮相

    03/17
  • 曝三星加快研发HBM4E芯片,基础裸片有望采用2nm制程

    03/13
  • Rambus推HBM4E内存控制器IP:单引脚16Gbps,单堆栈4.1TB/s

    03/05
  • 三星加快定制HBM4E设计,预计2026年中完成,SK海力士、美光同步跟进

    01/23
  • 台积电展望定制版HBM4E内存:N3P制程基础裸片集成内存控制器

    台积电展望定制版HBM4E内存:N3P制程基础裸片集成内存控制器

    11/28
  • 台积电展望定制版HBM4E内存:N3P制程基础裸片集成内存控制器

    11/28
  • 三星和SK海力士计划2026H1完成HBM4E的开发,2027年有望占据40%市场份额

    11/13
  • 消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发,定制化成竞争关键

    消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发,定制化成竞争关键

    11/13
  • 消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发

    11/13
  • 三星官宣 HBM4E:带宽飙升至 3.25TB/s,为英伟达Rubin GPU定制

    10/15
  • DRAM厂商在HBM基础裸片上出现分歧:美光推迟至HBM4E才转换到台积电

    08/30
  • 美光:HBM4E 时代定制 HBM 内存落地,推动形成“特供”格局

    08/12
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