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碾压台积电CoWoS！英特尔EMIB-T封装方案问世：HBM4e飙上12Gb/s

07/11

英伟达Rubin Ultra机架售价约1.42亿：HBM4e内存成本飙升头部企业已部署

英伟达Rubin Ultra机架售价约1.42亿：HBM4e内存成本飙升头部企业已部署

07/10

美股盘前全线走高！苹果英特尔联手造芯、HBM4E送样多重科技利好落地

06/18

HBM4E竞速开启，SK海力士与三星电子抢跑

06/18

SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器“HBM4E”12层堆叠样品

06/18

SK海力士：已向主要客户供应12层HBM4E样品

06/18

消息称SK海力士准备向主要客户提供HBM4E样品，最早本月发货

消息称SK海力士准备向主要客户提供HBM4E样品，最早本月发货

06/15

SK海力士展出12层堆叠48GB HBM4E内存，引脚速率16Gbps

06/03

三星电子开始交付业内首批HBM4E样品，性能较上代产品提升逾20%

05/29

三星电子业内率先出样HBM4E内存

05/29

三星电子12层HBM4E样品开始出货：系业界首款，性能提升20%

05/29

美光HBM4增产进展顺利，HBM4E计划明年开始大规模生产

05/26

拒绝挤牙膏！美光HBM4产出效率暴涨2倍明年量产HBM4E已锁定

05/25

美光HBM4量产加速 HBM4E明年投产

05/25

三星加速研发下一代高带宽内存首批HBM4E将于5月生产

04/18

HBM4E竞赛升级：SK海力士被曝拟引入台积电3nm工艺反超三星

03/22

美光确认HBM4E基于1γDRAM，未来1δ工艺采最新EUV光刻机

03/20

三星GTC 2026全面展示AI内存布局，HBM4E首发亮相

03/17

曝三星加快研发HBM4E芯片，基础裸片有望采用2nm制程

03/13

Rambus推HBM4E内存控制器IP：单引脚16Gbps，单堆栈4.1TB/s

03/05

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