面对长鑫存储的快速推进，三星电子、SK海力士和美光等传统DRAM巨头正加紧布局更先进的D0a级亚10nm节点，并转向3D DRAM和4F?存储单元架构（通过垂直堆叠晶体管与电容，将单元面积压缩至最小特征尺寸平方的4倍），以保持技术领先。
业界指出，为突破摩尔定律的极限，当半导体制程迈入 1 纳米以下节点时，寻找新材料已成为必然趋势。
三星全球首发3D堆叠逻辑晶体管：42nm栅极间距、密度翻倍
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电子工程师的群星闪耀时。
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三星2nm工艺细节公布：能效提升8% 良品率不足60%
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调查涉及自美进口的通用接口和栅极驱动芯片。
申请人请求对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销调查。
复盘一下台积电的崛起之路。
原型制作是半导体生产中的一个重要里程碑。
Rapidus正在开发与其2nm工艺兼容的PDK，计划2026年一季度交付。
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