消息称铠侠、闪迪考虑在美合作建设NAND晶圆厂
将GPU塞进HBM，英伟达携手Meta等探索突破AI算力瓶颈
助力DDR5内存量产：三星苏州工厂采购DI老化测试设备
三星2nm工艺细节公布：能效提升8% 良品率不足60%
ASML启用韩国华城园区：投资额达2400亿韩元
涨价调整将会反映在2026和2027年推出的各种电子产品和服务器上
消息称因供应短缺加剧，三星电子本月将部分存储芯片价格上调60%
消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发，定制化成竞争关键
消息称三星电子为晶圆代工业务设立2027年目标：重返盈利、市占达20%
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