IT之家 7 月 22 日消息，韩国媒体《中央日报》今日早些时候报道称，SK 海力士正在与英特尔就收购后者位于美国俄亥俄州的新建晶圆厂进行谈判，计划未来在美国实现存储芯片前端制造。

不过，SK 海力士随后通过发言人回应称，公司“没有收购计划”，否认了相关报道内容。英特尔方面也表示，公司不会对媒体关于未来商业协议的猜测发表评论，但仍将继续推进俄亥俄项目建设。

此前《中央日报》援引匿名业内人士消息称，SK 海力士正在评估收购英特尔俄亥俄州半导体园区的可能性，目标是在未来五年内利用该基地生产存储芯片。据报道，该交易如果推进，可能帮助 SK 海力士扩大美国本土生产布局，同时为英特尔晶圆代工业务提供资金支持。不过，截至目前，双方公司均未确认存在相关交易谈判。

英特尔俄亥俄半导体项目位于俄亥俄州新奥尔巴尼（New Albany），被称为“Ohio One”项目，是英特尔近年来规模最大的制造投资之一。英特尔于 2022 年正式开工建设该园区，计划一期投资超过 280 亿美元（IT之家注：现汇率约合 1897.86 亿元人民币），建设两座先进芯片制造工厂。整个园区占地约 1000 英亩（约 405 万平方米），未来规划最多可容纳 8 座晶圆厂。

按照英特尔此前公布的规划，该项目最初目标是在 2025 年前后完成两座先进晶圆厂建设，并创造约 3000 个英特尔岗位。不过，随着英特尔晶圆代工业务推进不及预期，公司调整了投资节奏，俄亥俄工厂建设时间表也被多次推迟。2025 年 2 月，英特尔表示，该项目首座晶圆厂预计将在 2030 年前后完成建设，投产时间可能在 2030 年至 2031 年之间。

英特尔曾将俄亥俄项目视为推动美国先进芯片制造回流的重要基地，并获得美国《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）相关支持。美国商务部此前公布，英特尔俄亥俄项目获得最高约 78.65 亿美元（现汇率约合 533.1 亿元人民币）直接资金支持，用于扩大美国本土先进半导体制造能力。

近年来，英特尔晶圆代工战略面临压力。公司希望通过“IDM 2.0”战略吸引外部客户使用自身制造能力，但在先进制程推进、良率提升以及客户拓展方面遭遇挑战。与此同时，英特尔也实施了裁员、削减投资等成本控制措施。

对于 SK 海力士而言，美国制造布局也是其全球供应链调整的一部分。目前，该公司正在美国印第安纳州建设高带宽内存（HBM）封装基地，计划投资约 38.7 亿美元（现汇率约合 262.31 亿元人民币），并预计于 2028 年开始运营。此外，韩国另一家芯片企业三星电子也在美国得克萨斯州泰勒建设先进晶圆制造和研发设施。

美国近年来持续推动半导体产业链本土化，希望覆盖芯片设计、晶圆制造、存储以及先进封装等环节。美国政府官员此前多次要求三星电子、SK 海力士等韩国企业扩大在美投资规模，这也成为外界关注韩国存储厂商未来美国制造计划的重要背景。