6月11日,财闻海外资讯,SK海力士现有V9 321L后的下一代3D NAND闪存将采用375层堆叠设计。该企业新的V10 NAND已完成生产验证,正准备量产转移,目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。
SK海力士V10 NAND采用375层堆叠设计 2026年内量产
IP属地 中国·北京
财闻 时间:2026-06-11 10:40:55
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