三星电子正加速布局先进封装产能，计划在韩国光州新建封装厂，这将是该公司35年来首次建设新的封装基地，也是继平泽园区启动后11年来首次新建重大半导体生产设施。

据韩国媒体报道，三星最快将于本月底，在韩国总统李在镕主持召开的大企业集团领导人会议上正式宣布上述投资计划，SK集团会长崔泰源及其他财界领袖预计出席该会议。

光州新厂将把三星封装业务的地理覆盖从传统忠清道重镇——牙山温阳和天安——向南延伸至韩国湖南地区，标志着其半导体制造版图的重要扩张节点。

与此同时，三星还在大幅提升HBM后端处理产能，并在越南加快建设半导体测试基地，先进封装领域的多线并进折射出行业竞争格局的加速演变。

HBM产能加速扩充：天安基地升级，2029年切换至HCB技术

据报道，三星将光州确定为新封装基地选址，部分源于对首都圈电力和供水资源趋近极限的顾虑，光州凭借基础设施容量优势脱颖而出。

新厂的建设将在现有忠清道封装体系之外形成湖南地区新的产能支撑点，进一步分散三星的封装网络地理布局，以应对日益增长的先进封装需求。

在技术投资层面，三星正扩充天安设施的HBM后端处理产能，目标于2026年底前将热压键合（TCB）月产能提升至23.1万颗，混合铜键合（HCB）月产能提升至1.95万颗。

报道同时指出，三星计划于2029年将HBM堆叠工艺路线从TCB全面切换至HCB，凸显其对下一代先进封装技术的持续押注。

在海外布局方面，一份提案文件显示，三星电子计划向越南投资39万亿越南盾（约合15亿美元），在河内以北约60公里处的工业园区建设半导体测试设施。该项目已开工建设，预计于2027年11月正式投入运营。