据THE ELEC4月28日报道，SK海力士披露，其应用于HBM的混合键合（Hybrid Bonding）良率较两年前显著提升，技术成熟度持续改善。

目前，采用混合键合的12层HBM已完成验证，正推动量产良率进一步优化。该技术实现铜对铜直接键合，无需凸点（Bump），可有效降低发热、提升带宽并大幅减薄叠层高度。

行业预测混合键合将从HBM4开始应用，预计自今年下半年或明年起逐步实现商用。但当前混合键合仍面临经济性挑战。

为衔接技术过渡，SK海力士正优化MR-MUF工艺，已达成HBM3E达16层的高度标准。HBM封装技术已按“TC-NCF → MR-MUF → 混合键合”代际演进，每代均实现翘曲更小、生产效率更高。

近日，SK海力士还凭借HBM在AI技术创新方面的领先地位，荣获2026年IEEE奖项。