过去两年里，随着人工智能（AI）的蓬勃发展，高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）市场的竞争也变得愈发激烈。特别是SK海力士，凭借HBM3和HBM3E，甚至成为了DRAM市场的领头羊。与之相反的是三星，过去的头号玩家在HBM3出师不利，一直没有得到英伟达的供应资质，极大影响了收入，还丢掉了第一的位置。

据Wccftech报道，随着HBM3E的推出，三星的情况有所改善，但是仍然在设法进入英伟达的主流供应链。与此同时，三星也提前开始在HBM4布局，希望通过新产品扭转不利的局面。最新报告指出，三星正在与AMD及英伟达合作，计划本月底将提供12层堆叠的HBM4样品。

目前市场对三星在HBM4上的进展更加乐观，很重要的一个原因是三星在1cnm DRAM技术上取得巨大进步，而且在生产测试中实现了50%至70%的良品率，相比于去年末不到30%的水平，有了大幅的提升。三星关心的并不是比竞争对手尽早地供应HBM4，而是推出一款能实现稳定供应的产品，从而被AMD和英伟达的产品所采用。

除了SK海力士和三星外，美光也虎视眈眈，准备了自己的HBM4。由于这次供应链上激烈的竞争，预计HBM价格可能会下降。根据SK海力士和三星的公布计划，两者的HBM4将在未来几个季度内进入量产阶段。