虽然HBM4还没有全面铺开，还要等待英伟达和AMD下一代AI加速器的出货，2026年才会进入大规模量产阶段，不过作为存储器供应商，三星和SK海力士显然有着更长远的计划，已经将目标瞄准在更遥远的HBM4E，为接下来的竞争做准备。

据TrendForce报道，新一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。到了HBM4E，有望从标准化产品转向更多的定制解决方案，其中核心部件将根据个人客户的需求进行定制，这种转变有可能成为影响供应商竞争的一个重要因素。

目前三星和SK海力士都计划在2026年上半年完成HBM4E的开发，而搭载HBM4E的AI加速器将于2027年上市。因此还需要在2026年下半年完成质量验证，为此三星和SK海力士正在加快HBM4E的开发速度，以免出现延误。

所谓的定制设计，意思是HBM基础裸片（Base Die）可以根据特定客户的要求来进行设计和制造。能进入定制HBM领域，意味着DRAM厂商需要强大的设计能力和先进的生产工艺，以快速响应客户需求。

从HBM4开始，三星就开始利用自家的代工厂生产基础裸片，这可能是其获得优势的基础。虽然SK海力士也是从HBM4开始将基础裸片的生产转移到代工厂，不过其选择与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产。

有分析人士表示，HBM4E有望在两年内成为HBM市场的主导产品，预计2027年将占据约40%的市场份额。