2025年以来，中国氮化镓（GaN）产业在技术突破、产品创新和市场应用拓展方面取得了显著进展。从衬底、外延片到器件设计与制造，多家上市公司在GaN领域的布局逐步深化，推动了产业链的成熟与升级。以下基于六家代表性企业的上半年动态，从市场现状、核心成果、未来趋势三方面展开分析，全面呈现中国氮化镓产业发展图景。

技术突破与场景落地双轮驱动

目前，中国氮化镓产业正加速迈入“规模化商用”阶段，衬底与外延片环节实现产能扩容与工艺优化，器件环节则在多领域完成批量出货，产业链各环节协同发展态势显著。

（一）衬底与外延片：产能释放提速，工艺迭代聚焦良率与效率

作为氮化镓产业链的上游核心环节，衬底与外延片的技术成熟度和产能规模直接决定产业发展基础。上半年，头部企业通过扩产、工艺优化与技术创新，持续夯实产业根基。

三安光电在衬底与外延片领域持续领跑，其硅基氮化镓技术平台完成多维度升级：一方面突破高电能利用效率数据中心应用需求，推出高散热、低寄生的650V及100V耐压等级GaN产品；另一方面针对人形机器人关节及灵巧手电机领域，优化第一代中低压高速开关、低导通电阻GaN器件性能参数，并开发出具有自主知识产权的双向开关GaN器件技术，可满足车载充电器、充电桩及电机驱动等场景需求。产能方面，公司依托多地区制造基地，持续保障衬底与外延片供应，为下游器件制造提供稳定支撑。

聚灿光电则聚焦外延技术创新与全色系布局，在GaN基蓝绿光外延领域，开发出SiO₂/Al₂O₃复合衬底外延生长技术，突破新型衬底基板的性能和良率瓶颈，实现大规模稳定量产；同时结合市场需求，新增高色域光源开发方案，成功研发双波长和三波长外延层结构，满足高品质光源应用需求。此外，公司通过优化外延层程序窗口、深挖良率损失细节，实现良率增效与缩时提产，为Mini/Micro LED等高端显示场景提供优质外延片支持。

英诺赛科作为全球首家大规模量产8英寸晶圆的氮化镓IDM企业，上半年在衬底与外延片工艺上实现关键突破：3.0代产业化平台技术持续优化，器件性能进一步提升的同时，生产成本显著下降，单个晶圆芯片产出量提升30%以上；车规、双向导通和合封IC等新器件平台的迭代，进一步扩大了产品电压覆盖范围（15V-1200V），为下游多场景应用提供差异化选择。截至报告期末，公司晶圆产能达每月1.3万片，整体生产良率超95%，处于业内领先水平。

（二）器件设计与制造：多领域批量出货，车规与高端消费电子成增长引擎

氮化镓器件环节是产业链价值兑现的核心，上半年头部企业在车规级、AI数据中心、人形机器人、消费电子等领域实现突破，产品从“样品验证”走向“批量交付”，商业化进程显著加快。

闻泰科技（安世半导体）重点推进氮化镓场效应晶体管（GaNFET）的场景落地，推出覆盖40～700V的新型低压和高压E-mode GaNFET产品组合，可广泛应用于消费电子同步整流电源、数据通信DC-DC转换器、光伏微型逆变器、D类音频放大器，及电动自行车、叉车等轻型电动车电机控制系统。在汽车电子领域，公司最新的650V高压GaN HEMT器件已通过吉利与雷诺合资企业浩思动力的验证，搭载于Gemini小型增程器，通过优化栅极驱动与系统稳定性，实现电机逆变器更高功率密度及轻量化，同时大幅节省系统成本；在消费电子领域，GaNFET芯片已在快充客户中实现量产，进一步巩固高效能、低功耗领域优势。

士兰微加快车规级氮化镓器件研发与产能建设，上半年重点推进8英寸车规级GaN功率器件的产品研发与技术成熟，目标明确指向汽车电子高门槛市场。公司依托IDM模式优势，将氮化镓器件与自身功率器件、模拟控制、驱动芯片形成协同，计划打造多品类融合的解决方案，目前车规级GaN器件已进入技术验证关键阶段，为后续批量导入车企供应链奠定基础。

华润微在氮化镓器件领域实现技术与市场双重突破：D-MODE平台产品有序迭代，产品系列进一步丰富，RSP水平持续提升，中高压平台6颗产品已于上半年进入开发制版阶段，高压平台产品预计2025年底下线；E-MODE平台建设及产品研发取得突破性进展，代表产品可靠性通过1000H考核，为高端应用场景提供技术支撑。市场端，公司氮化镓功率器件销售收入同比实现高速增长，在消费电子快充、工业电源等领域完成多家核心客户导入，同时积极布局车规级应用，为后续增长储备增量空间。

技术、场景、商业化多维突破

上半年，中国氮化镓企业在技术创新、场景拓展、商业化落地三大维度取得标志性成果，推动产业从“单点突破”走向“系统成熟”，核心竞争力显著提升。

（一）技术创新：全电压谱系覆盖，合封与双向器件成新方向

英诺赛科实现多项“全球首次”技术突破，成为行业技术标杆：1200V高压GaN芯片在工业领域实现全球首次大规模量产出货，低压双向Bidirectional-GaN产品在电池管理系统（BMS）领域成功导入大客户并批量出货，100V用于机器人关节的GaN产品在人形机器人领域全球首次量产出货；同时氮化镓IC产品设计取得突破，合封技术成熟，收入同比增长近16倍，标志着中国氮化镓器件从分立器件向高集成度IC迈进。

三安光电在射频氮化镓技术上持续精进，针对5G应用优化工艺，采用超薄缓冲层结构外延工艺，匹配客户端高温应用下的可靠性需求；同时提前布局6G应用工艺预研，提升工艺平台的高频、高功率性能，已与国际通信设备龙头展开深度合作，为国际频段开发定制化工艺，样品进展良好；此外，公司启动射频硅基氮化镓代工平台建设，为高频、高功率消费类射频场景储备技术，进一步拓宽技术应用边界。

（二）场景拓展：从消费电子向AI、汽车、机器人全场景渗透

AI及数据中心成为氮化镓器件新增长极。英诺赛科面向AI及数据中心的销售同比增长180%，基于100V氮化镓的48V-12V应用进入量产，且成为国内独家进入英伟达800V高压直流方案的芯片供应商，其氮化镓器件被英伟达新一代架构采用，推动AI数据中心进入高效节能时代；三安光电光技术板块聚焦数据通讯领域，400G产品出货持续增加，800G产品开始小批量出货，为数据中心光模块提供氮化镓相关支持；闻泰科技则通过MOSFET、GaNFET等产品进入全球头部AI服务器/AI PC ODM厂商供应体系，满足AI设备高功率需求；近期地缘政治影响，或对闻泰科技氮化镓业务开展构成难以估量的风险挑战。

新能源汽车领域实现“从导入到量产”跨越。英诺赛科应用于激光雷达、车载充电机（OBC）的车规级GaN芯片交付同比增长128%，并与全球汽车电子头部企业联合汽车电子成立联合实验室，加速氮化镓在汽车电力电子系统的场景化应用；闻泰科技GaNFET器件搭载于浩思动力增程器，完成车规级场景验证并进入量产准备阶段；华润微则推进车规级氮化镓器件在OBC、DCDC等场景的客户测试，多家头部车企及Tier1客户导入进展顺利。

人形机器人成为氮化镓应用“新蓝海”。英诺赛科与多家头部机器人企业合作，全球首次实现搭载氮化镓芯片的机器人量产出货，其150V和100V功率器件广泛应用于机器人关节电机驱动和内部电源转换模块；三安光电针对人形机器人关节及灵巧手电机需求，优化中低压GaN器件性能，开发双向开关技术，为机器人动力系统提供高效解决方案，推动氮化镓成为人形机器人量产的关键支撑器件。

（三）商业化：毛利率转正，全球化布局提速

英诺赛科上半年实现毛利率为6.8%，较2024年同期的-21.6%大幅提升28.4个百分点，成功由负转正，标志着中国氮化镓企业从“规模扩张”转向“盈利导向”，商业化模式逐步成熟。同时，头部企业全球化布局提速：英诺赛科海外收入达6.37亿元，同比增长57.8%，在欧美、亚太市场的品牌认可度持续提升；三安光电通过英国、德国子公司获取宾利、劳斯莱斯等豪华车企新项目定点，拓展欧洲和中东市场；闻泰科技依托德国汉堡、英国曼彻斯特晶圆厂，为海外汽车客户提供本地化供应，全球化供应链韧性显著增强。

2025年上半年氮化镓上市公司营收对比

技术高端化、场景多元化、供应链自主化

基于上半年行业动态，中国氮化镓市场未来将呈现三大发展趋势，产业竞争力有望进一步向全球第一梯队靠拢。

（一）技术趋势：向高电压、高集成、车规级方向深化

高电压与高功率密度成为技术研发重点。英诺赛科、三安光电等企业持续推进1200V高压GaN器件研发与量产，满足工业电源、新能源汽车800V平台需求；同时，700V、900V等中高压平台产品加速迭代，如英诺赛科700V氮化镓器件已在美的抽油烟机中量产，未来将拓展至空调、冰箱等家电领域，进一步替代传统MOS或IGBT方案。

合封与系统级解决方案成差异化竞争焦点。英诺赛科氮化镓IC合封技术收入同比增长近16倍，闻泰科技、华润微也在推进GaN与驱动芯片、保护器件的集成，未来“GaN+IC”合封产品将成为主流，大幅提升系统效率、降低客户设计成本。此外，三安光电开发的双向开关GaN器件、英诺赛科的Bidirectional-GaN产品，将进一步满足车载充电机、电池管理系统等双向能量转换场景需求，技术差异化优势持续扩大。

车规级认证与可靠性提升成入场门槛。士兰微推进8英寸车规级GaN器件研发，华润微加速车规级GaN器件AEC-Q101认证，闻泰科技则通过车企严苛的系统验证，未来车规级氮化镓器件将形成“认证-量产-迭代”的良性循环，技术标准与国际接轨，同时推动国内车规供应链自主化。

6家上市公司氮化镓在汽车领域落地情况

（二）场景趋势：新兴领域放量，渗透率持续提升

人形机器人与低空经济成增量新场景。随着2025年人形机器人量产元年开启，英诺赛科、三安光电等企业的GaN器件已进入头部机器人供应链，用于关节电机驱动与电源管理，未来随着机器人出货量增长（高盛预测2030年全球人形机器人年出货量达100万台），氮化镓在该领域的需求将呈爆发式增长；同时，低空飞行器领域逐步起量，三安光电已与小鹏、亿航等客户对接，启动GaN器件评估送样，为低空经济提供动力支持。

AI数据中心与消费电子高端化双轮驱动。AI数据中心向兆瓦级供电演进，英诺赛科、闻泰科技的GaN器件已进入英伟达、头部云厂商供应链，用于800V高压直流电源、服务器48V-12V转换，未来随着AI算力需求增长，氮化镓在数据中心的渗透率将从当前的10%左右提升至2028年的30%以上；消费电子领域，除快充外，GaN在空调、电视、音频系统等高端家电的应用加速，英诺赛科、聚灿光电等企业已与美的、头部手机厂商合作，推动消费级GaN产品从“小众高端”走向“大众普及”。

（三）供应链趋势：IDM模式成主流，自主化与全球化协同

IDM模式优势进一步凸显。英诺赛科、闻泰科技、华润微等企业依托IDM模式，实现从衬底、外延、芯片设计到封装测试的全链条可控，不仅缩短产品迭代周期（如英诺赛科新品从研发到量产仅需6-9个月），还能通过工艺优化降低成本（英诺赛科3.0代平台使晶圆产出提升30%）。未来，更多企业将采用“设计+制造”协同模式，IDM将成为中国氮化镓产业的主流经营模式，支撑产业从“跟随”向“引领”转型。

供应链自主化与全球化并行。国内企业加速国产材料与设备替代，如三安光电、聚灿光电推进国产衬底、MOCVD设备导入，降低对海外供应链依赖；同时，头部企业通过海外建厂、合作拓展全球市场，如英诺赛科与意法半导体联合开发，三安光电布局欧洲销售网点，闻泰科技依托海外晶圆厂服务全球客户，形成“国内供应链保障+全球市场拓展”的双循环格局，提升产业抗风险能力与全球竞争力。

结语

2025年上半年，中国氮化镓市场实现技术、场景、商业化的全面突破，已从“产业培育期”迈入“快速成长期”。未来，随着技术向高电压、高集成深化，场景向AI、机器人、低空经济拓展，供应链向IDM模式与自主化升级，中国氮化镓产业有望在2030年前成为全球重要的创新与制造中心，为全球半导体产业发展贡献中国力量。