21世纪经济报道记者 林典驰 深圳报道

先进制程竞赛、先进封装崛起、异质集成融合——半导体产业正迎来技术爆发的临界点。

10月15日—17日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）于在深圳举办，吸引超600家国内外企业参展，展示涵盖半导体全产业链的前沿技术。

2025年，全球半导体产业站在了一个新的转折点上。经过2024年的蓄势与回暖，业界对今年市场表现呈现​​乐观预期。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2025年全球半导体销售额预计将达到​​6972亿美元​​，同比增长11.2%。

在人工智能、汽车电子等需求的共同驱动下，半导体技术正以前所未有的速度迭代创新，呈现出六大鲜明的发展趋势。

一、2nm及以下工艺量产

2025年是先进制程代工厂交付​​2nm及以下工艺的关键时间点​​。根据公开消息，台积电2nm工艺预计本季度后期量产。三星计划今年量产2nm制程SF2，并将在2025-2027年陆续推出不同版本，分别面向移动、高性能计算及AI和汽车领域。

英特尔则加速推进其Intel 18A（1.8nm）工艺，Panther Lake是首个采用英特尔的Intel 18A工艺制造的消费级产品平台，该处理器预计将于今年开始量产爬坡，首批芯片将在2025年底前出货，并将于2026年1月起全面上市。

这一转变意味着，当制程微缩至2nm以下时，传统FinFET晶体管架构已接近物理极限，​​全环绕栅极晶体管​​成为持续提升芯片性能和能效的必然选择。

二、HBM4内存提速，AI驱动存储技术革新

在高性能计算和AI服务器需求的强劲驱动下，HBM（高带宽内存）的迭代和制造已进入​​竞速模式。

截至目前，SK海力士已建成HBM4量产体系，预计将占据HBM4市场60%以上份额，三星、美光等厂商也在加紧筹备HBM4量产，力争抢占英伟达、AMD认证先机，而国内相关厂商也在加速突破，国产替代窗口期持续扩大。

根据JEDEC 固态技术协会发布的 HBM4 初步规范，HBM4 提高了单个堆栈内的层数，从HBM3的最多12层增加到了最多16层，将支持每个堆栈2048位接口，数据传输速率达到6.4GT/s。

三、先进封装产能扩张

随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装技术正成为提升芯片性能的​​关键路径​​。今年，台积电、长电科技、通富微电等厂商纷纷扩大CoWoS、FCBGA等先进封装产能。

另一方面，Chiplet（芯粒）技术通过将复杂芯片分解为更小的模块，利用先进封装集成，实现了​​降本增效​​，成为汽车高性能SoC开发的新突破口。

先进封装的崛起标志着半导体行业从“制程竞赛”转向​​立体集成​​的创新模式，为不同工艺节点的芯片组合提供了可能性。

四、AI芯片场景从云端训练转向​​边缘推理​​

自2025年起，市场对AI推理算力的需求激增，头部大厂的采购趋势已从过去单一投资训练算力，转向训练与推理并行的策略。

近期，OpenAI向AMD，承诺购买可支持6GW算力的Instinct系列芯片，并计划主要用于推理。

除此之外，博通采用（专用集成电路）ASIC方案，与OpenAI共同开发AI定制芯片。华泰证券预计，ASIC在AI推理领域的市场份额将从2023年的5%飙升至2028年的25%，OpenAI此举正是踩准这一技术趋势。

云天励飞董事长陈宁表示，2025年AI正从学习训练阶段全面转向应用推理时代。未来5年到10年，将是AI训练和AI推理并重的时代。他认为，在AI引发的第四次工业革命中，AI训练芯片相当于第二次工业革命中的发电机，而AI推理芯片则是将电能转化为实际应用的灯泡、家用电器和电动机，是推动产业化革命的关键。

五、高阶智驾芯片上车

2025年被诸多车规芯片厂商视为​​高阶智驾的决赛点​​和量产上车的窗口期。今年4月，蔚来5纳米智驾芯片神玑NX9031量产装车，首发搭载蔚来ET9，并推送至新款ET5、ES6、EC6等多款车型。

另一方面，小鹏的图灵芯片同样成功量产，单颗算力超过700TOPS，分别在新P7和G7量产装车，可同时应用于AI汽车、AI机器人和飞行汽车。

地平线征程6系列同样宣布量产，算力达到560TOPS,全球首搭车型为奇瑞星途ET5。此外，比亚迪、吉利、奇瑞等品牌的多款系统也基于征程6芯片打造。

这一趋势表明，L2+至L4级自动驾驶技术正从研发验证走向​​规模化商用​​，智能汽车对算力的需求更加急切。

六、碳化硅进入8英寸时代

碳化硅产业在2025年正式进入从6英寸向8英寸的产能转换阶段。意法半导体、芯联集成、罗姆、安森美等厂商纷纷计划在今年实现8英寸碳化硅晶圆的量产。

与6英寸相比，8英寸碳化硅的优势主要体现在潜在成本、性能和参数均匀性等方面。在电动汽车800V平台普及的推动下，“800V+SiC”已成为高端电动汽车的标配。

碳化硅器件凭借其高能效、耐高温和高频特性，正成为能源革命的关键推动力。同时，氧化镓等第四代半导体材料也开始崭露头角，其禁带宽度达到4.9eV，理论损耗仅为硅的1/3000，有望在未来直接挑战碳化硅的地位。